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Vishay MOSFET SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple

About The 4V, Disipación de Potencia Máxima: 0,71 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±8 V, Longitud: 3.85V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 75 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.85V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 0,71 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±8 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 de 3 pines,, config.

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Specifications of Vishay MOSFET SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple

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