Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 360 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.2V onsemi MOSFET FCD360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
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Onsemi MOSFET FCD360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FCD360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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