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Toshiba MOSFET TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS De 3 Pines

About The 7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.Toshiba MOSFET TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3

Toshiba MOSFET TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

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Toshiba MOSFET TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS De 3 Pines

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