STMicroelectronics IGBT, 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 167 W, MPN: STGB30H65DFB2
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STMicroelectronics IGBT, STGB30H65DFB2, 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines 1
Specifications of STMicroelectronics IGBT, STGB30H65DFB2, 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines 1 | |
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