Infineon Transistor MOSFET IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 De 3 Pines
About The Infineon Transistor MOSFET IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Infineon Transistor MOSFET IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
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Specifications of Infineon Transistor MOSFET IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 De 3 Pines | |
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