IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |