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Vero Technologies Tarjeta Madre Posterior 222-2470, 96 Contactos, DIN 41612, FR4, 2 Lados, 84HP, 15.24mm

About The 6mm, Grosor del Cobre: 35µm.Vero Technologies Tarjeta madre posterior 222-2470, 96 contactos, DIN 41612, FR4, 2 lados, 84HP, 15

Vero Technologies Tarjeta madre posterior 222-2470, 96 contactos, DIN 41612, FR4, 2 lados, 84HP, 15.24mm, Material de la Base: Laminado de Tejido de Vidrio Epoxi, Altura: 130mm, Grosor: 1.6mm, Grosor del Cobre: 35µm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Protección ESD & Sala Blanca y Prototipado PCB > Placas para Prototipos > Backplanes y Placas Madre

Vero Technologies Tarjeta Madre Posterior 222-2470, 96 Contactos, DIN 41612, FR4, 2 Lados, 84HP, 15.24mm

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Specifications of Vero Technologies Tarjeta Madre Posterior 222-2470, 96 Contactos, DIN 41612, FR4, 2 Lados, 84HP, 15.24mm

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    • Werma Indicador luminoso serie 853, efecto EVS, LED, Azul, alim. 12 V

    Werma Indicador luminoso serie 853, efecto EVS, LED, Azul, alim. 12 V

    12 V, Estilo de Montaje: Montaje en base / montaje en pared, MPN: 853.Werma Indicador luminoso serie 853, efecto EVS, LED, Azul, alim.54.520.

    • RS PRO Fuente de alimentación conmutada, 36V dc, 14A, 480W, 1 salida, Montaje en panel, Tensión de entrada: 90 → 264V ac, Tipo de paquete: Bastidor cerrado, Longitud:: 218mm, Ancho: 116.5mm, Profundidad: 41mm, Temperatura máxima: +70°C, Temperatura mínima: -30°C
    • Huber+Suhner Conector coaxial 16_TNC-50-7-17/133_NE, Macho, Ángulo de 90°, Impedancia 50Ω, Montaje de Cable,, Tipo de conector coaxial: Conector TNC, Método de Terminación: Crimpado, Pasante: No, Polaridad: Normal, MPN: 84084333
    • RS PRO Fijación a presión de latón, Acoplamiento en T, Material Latón, Acoplamiento en T, Tipo de conexión de montaje de tubería: Compresión, Rosca Estándar 1: Métrica, Tamaño de la Rosca 1: M14, Género de la Conexión 1: Hembra
    • Vishay Rectificador en puente, Monofásico, 2A 1000V, Conexión de silicio WOG, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración: Único, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 60A, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Tensión Directa de Pico: 1.1V, Corriente Inversa de Pico: 5µA, Dimensiones: 9.86 x 8.84 x 5.6mm, Longitud: 9.86mm, MPN: 2W10G-E4/51
    • Vero Technologies Tarjeta madre posterior 222-2470, 96 contactos, DIN 41612, FR4, 2 lados, 84HP, 15.24mm, Material de la Base: Laminado de Tejido de Vidrio Epoxi, Altura: 130mm, Grosor: 1.6mm, Grosor del Cobre: 35µm
    • IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines,, config.4V. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.

    • Vero Technologies Tarjeta madre posterior 222-2470, 96 contactos, DIN 41612, FR4, 2 lados, 84HP, 15.24mm, Material de la Base: Laminado de Tejido de Vidrio Epoxi, Altura: 130mm, Grosor: 1.6mm, Grosor del Cobre: 35µm
    • IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    4V. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.