Nexperia MOSFET PMV55ENEAR, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
About The 3V, Disipación de Potencia Máxima: 8,36 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 120 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2
Nexperia MOSFET PMV55ENEAR, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 120 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 8,36 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Nexperia MOSFET PMV55ENEAR, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Nexperia MOSFET PMV55ENEAR, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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