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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio UV, λ Sensibilidad Máx. 254nm, Mont. Pasante, Encapsulado Perfil Bajo De 3

About The OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio UV, λ sensibilidad máx.14A/W, Resistencia de shunt: 10000KΩ, Tiempo de Subida Típico: 5

pasante, encapsulado Perfil bajo de 3, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: UV-100L, Longitud: 24.76mm, Altura: 4.826mm, Diámetro: 25.4mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.14A/W, Resistencia de shunt: 10000KΩ, Tiempo de Subida Típico: 5.9ns OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio UV, λ sensibilidad máx. 254nm, mont.

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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio UV, λ Sensibilidad Máx. 254nm, Mont. Pasante, Encapsulado Perfil Bajo De 3

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Specifications of OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio UV, λ Sensibilidad Máx. 254nm, Mont. Pasante, Encapsulado Perfil Bajo De 3

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