ROHM Transistor MOSFET SCT2160KEC, VDSS 1.200 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 226 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 165 W, Longitud: 15.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Material del transistor: SiC
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ROHM Transistor MOSFET SCT2160KEC, VDSS 1.200 V, ID 22 A, TO-247 De 3 Pines, Config. Simple
Specifications of ROHM Transistor MOSFET SCT2160KEC, VDSS 1.200 V, ID 22 A, TO-247 De 3 Pines, Config. Simple | |
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