Toshiba MOSFET TK16V60W, VDSS 600 V, ID 15,8 A, DFN De 5 Pines, Config. Simple
About The 7V, Disipación de Potencia Máxima: 139 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 139 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.7V Toshiba MOSFET TK16V60W, VDSS 600 V, ID 15,8 A, DFN de 5 pines, config.
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Toshiba MOSFET TK16V60W, VDSS 600 V, ID 15,8 A, DFN De 5 Pines, Config. Simple
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Specifications of Toshiba MOSFET TK16V60W, VDSS 600 V, ID 15,8 A, DFN De 5 Pines, Config. Simple | |
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