Infineon MOSFET IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, 4,7 A, SO-8 de 8 pines, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,065 Ω, 0,17 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V
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Infineon MOSFET IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, 4,7 A, SO-8 De 8 Pines
Specifications of Infineon MOSFET IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, 4,7 A, SO-8 De 8 Pines | |
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