onsemi MOSFET FQU2N60CTU, VDSS 600 V, ID 1,9 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Onsemi MOSFET FQU2N60CTU, VDSS 600 V, ID 1,9 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FQU2N60CTU, VDSS 600 V, ID 1,9 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines, Config. Simple | |
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