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Ams OSRAM Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 850nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-18 De 2 Pines

About The 012µs, Anchura: 5. 850nm, mont

850nm, mont. ams OSRAM Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx. pasante, encapsulado TO-18 de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Tiempo de Bajada Típico: 0.012µs, Anchura: 5.5mm, Diámetro: 4.8mm, Polaridad: Positivo, Corriente de cortocircuito: 10µA, MPN: BPX 65

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Displays y Optoelectrónica > Optoacopladores y Fotodetectores > Fotodiodos

Ams OSRAM Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 850nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-18 De 2 Pines

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Specifications of Ams OSRAM Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 850nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-18 De 2 Pines

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