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Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2

About The Infineon Módulo transistor IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 15V, Disipación de Potencia Máxima: 305 W, Configuración: Único, MPN: IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Módulo transistor IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 15V, Disipación de Potencia Máxima: 305 W, Configuración: Único, MPN: IKW50N65RH5XKSA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT

Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2

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Specifications of Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2

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Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2
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Siemens Arrancador directo SIRIUS, 600 mA, 400 V ac, 0,18 kW, trifásico, IP20, Fase: 3, Número de Polos: 3P, MPN: 3RA2110-0HE15-1BB4
    • RS PRO Tapón cuadrado de Plástico Negro, para perfil de 25 mm, Tipo de Elemento Estructural: Tapa de Extremo Cuadrada, Perfil del Tubo Cuadrado de Encaje: 25mm, Familia del Producto: Sistema de tubo cuadrado RS
    • Nexperia Diodo, 30mA, 15V Barrera Schottky, SOT-323 (SC-70), 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Cátodo común, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: 1PS70SB85,115
    • 3M Disco de láminas Fino de Aluminio de Zirconio, P120, Ø 125mm, RPM máx. 12000rpm

    3M Disco de láminas Fino de Aluminio de Zirconio, P120, Ø 125mm, RPM máx. 12000rpm

    3M Disco de láminas Fino de Aluminio de Zirconio, P120, Ø 125mm, RPM máx. 12000rpm, Tamaño del Diámetro Interno: 22mm, Aplicación: Molienda y mezcla, Serie: 566A, Modelo: PN65026, MPN: 3M556D B61795.

    • TE Connectivity AEC-Q200 Resistencia SMD, 2kΩ, ±0.1%, 0.2W, Película Fina, 0805 (2012M) 100V, Serie RQ73, Coeficiente de Temperatura: ±10ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: 2176380-3
    • Belimo Actuador de compuerta, par 5Nm, 240 V ac, 1.5W, para eje de 6 → 20mm, control abierto/cerrado, Área del Amortiguador Máxima: 1m², Interruptor Incluido: Sí, Tipo de Control: Open/Close, Nivel de Ruido: 35dB(A), Tamaño del Eje del Amortiguador Mínimo: 6mm, MPN: LM230A-S
    • Infineon Módulo transistor IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 15V, Disipación de Potencia Máxima: 305 W, Configuración: Único, MPN: IKW50N65RH5XKSA1
    • Yageo, 220Ω, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805JR-07220RL

    Yageo, 220Ω, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805JR-07220RL

    Yageo, 220Ω, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M).

    • Infineon Módulo transistor IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 15V, Disipación de Potencia Máxima: 305 W, Configuración: Único, MPN: IKW50N65RH5XKSA1
    • Yageo, 220Ω, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805JR-07220RL

    Yageo, 220Ω, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805JR-07220RL

    Yageo, 220Ω, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M).