Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 75 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 1mm, Longitud: 3mm onsemi MOSFET FDC658AP, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 de 6 pines,, config.
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Onsemi MOSFET FDC658AP, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 De 6 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FDC658AP, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 De 6 Pines,, Config. Simple | |
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