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TE Connectivity Conector De Borde, Paso 2.54mm, 36 Contactos, 2 Filas, Vertical, Montaje En Orificio Pasante, Hembra, 3A

About The 54mm, 36 contactos, 2 filas, Vertical, Montaje en orificio pasante, Hembra, 3A, Método de Terminación: Soldador, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Vía Polarizada: Sí, Tensión Nominal: 400 V ac, Tipo de Tarjeta: Borde de Placa, Profundidad: 0.TE Connectivity Conector de borde, paso 2

TE Connectivity Conector de borde, paso 2.54mm, 36 contactos, 2 filas, Vertical, Montaje en orificio pasante, Hembra, 3A, Método de Terminación: Soldador, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Vía Polarizada: Sí, Tensión Nominal: 400 V ac, Tipo de Tarjeta: Borde de Placa, Profundidad: 0.55plg, Longitud: 2.06plg, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85°C, MPN: 2-5530843-7

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TE Connectivity Conector De Borde, Paso 2.54mm, 36 Contactos, 2 Filas, Vertical, Montaje En Orificio Pasante, Hembra, 3A

STMicroelectronics Diodo TVS Bidireccional, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 64.3V, Tensión Mínima de Ruptura: 33.3V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 30V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 62A, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.6 x 3.95 x 2.45mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SMBJ30CA-TR
STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 39.3V, Tensión Mínima de Ruptura: 20V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 18V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 102A, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.6 x 3.95 x 2.45mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SMBJ18A-TR
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Specifications of TE Connectivity Conector De Borde, Paso 2.54mm, 36 Contactos, 2 Filas, Vertical, Montaje En Orificio Pasante, Hembra, 3A

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Infineon Diodo, 60A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW60C65D1XKSA1
    • Infineon Diodo, 40A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDFW40E65D1EXKSA1
    • Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP50R12KT4PBPSA1
    • Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP25R12W2T4PBPSA1
    • Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP25R12W2T4PBPSA1