STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, SMBJ18A-TR, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines

Name: STMicroelectronics: STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración De Diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 39.3V, Tensión Mínima De Ruptura: 20V, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Tensión De Corte Inversa Máxima: 18V, Corriente De Pulsos De Pico Máxima: 102A, Temperatura De Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.6 X 3.95 X 2.45mm, Temperatura Máxima De Funcionamiento: +150 °C, MPN: SMBJ18A-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: ABDW-4859
Price: 366.03 EUR
Availability: InStock

About The 3V, Tensión Mínima de Ruptura: 20V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 18V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 102A, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.95 x 2

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 39.3V, Tensión Mínima de Ruptura: 20V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 18V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 102A, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.6 x 3.95 x 2.45mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SMBJ18A-TR

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TE Connectivity Conector de borde, paso 2.54mm, 36 contactos, 2 filas, Vertical, Montaje en orificio pasante, Hembra, 3A, Método de Terminación: Soldador, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Vía Polarizada: Sí, Tensión Nominal: 400 V ac, Tipo de Tarjeta: Borde de Placa, Profundidad: 0.55plg, Longitud: 2.06plg, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85°C, MPN: 2-5530843-7

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP25R12W2T4PBPSA1

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Specifications of STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, SMBJ18A-TR, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines
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Last Updated January 4th, 2025 02:07 pm

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Murata Condensador cerámico multicapa MLCC,, 100pF, ±10%, 25V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico, Paquete/Carcasa: 0201 (0603M), Dimensiones: 0.6 x 0.3 x 0.3mm, Longitud: 0.6mm, Serie: GRM, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Tipo terminal: Montaje superficial, MPN: GRM033R71E101KA01D

Murata Condensador cerámico multicapa MLCC,, 100pF, ±10%, 25V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico.

Infineon Diodo, 60A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW60C65D1XKSA1

Infineon Diodo, IDW60C65D1XKSA1, 60A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines.

Infineon Diodo, 40A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDFW40E65D1EXKSA1

Infineon Diodo, IDFW40E65D1EXKSA1, 40A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines.

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP50R12KT4PBPSA1

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7.

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP50R12KT4PBPSA1

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, SMBJ18A-TR, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines

About The 3V, Tensión Mínima de Ruptura: 20V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 18V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 102A, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.95 x 2

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Specifications of STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, SMBJ18A-TR, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines

Infineon Diodo, 60A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW60C65D1XKSA1

Infineon Diodo, 40A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDFW40E65D1EXKSA1

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP50R12KT4PBPSA1

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP50R12KT4PBPSA1