Onsemi MOSFET FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9,4 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines,, Config. Simple
About The . Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 185 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6
onsemi MOSFET FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 185 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9,4 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9,4 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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