onsemi MOSFET FQA19N60, VDSS 600 V, ID 18,5 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 18.9mm, Longitud: 15.8mm
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Onsemi MOSFET FQA19N60, VDSS 600 V, ID 18,5 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FQA19N60, VDSS 600 V, ID 18,5 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple | |
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