Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.8mm STMicroelectronics MOSFET STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines,, config.
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STMicroelectronics MOSFET STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of STMicroelectronics MOSFET STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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