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Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 98 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.7V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 98 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.7V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado
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Schurter Inductores de modo común, 10mΩ DKIV-1, 0,97 MHz, Inductancia: 8,2 mH, MPN: DKIV-1-3236-102Q-NK
    • Schurter Inductores de modo común, 5.7mΩ DKIV-1, 0,91 MHz, Inductancia: 900000 μH, Número de líneas: 2, MPN: DKIV-1-3243-16D9
    • RS PRO Tornillo prisionero Acero Conector hembra 10/32plg x 5/16plg, Tipo de Acero Inoxidable: Mild Steel
    • onsemi 1.8 x 1.35 x 1mm Simple MM3Z3V9SG +150 °C 300 mW 3μA 90Ω -65 °C Montaje superficial 4.2V 1 -65 → +150 °C, Tipo de Encapsulado: SOD-323, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 5mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 3µA, Longitud: 1.8mm, Ancho: 1.35mm, MPN: MM3Z3V9ST1G
    • RS PRO Tornillo prisionero Acero Conector hembra 1/4-28plg x 5/16plg, Tipo de Acero Inoxidable: Mild Steel
    • Preci-Dip Conector cargado con resorte de 24 vías, 2 filas, paso 2.54mm, para soldar, Montaje en orificio pasante, Género: Macho, Orientación del Cuerpo: Recta, Método de Terminación: Soldador, Valor Nominal de Corriente: 3.5A, Revestimiento del Contacto: Oro, Material de la Carcasa: PET Reforzado con Fibra de Vidrio, Material del Contacto: Latón, Tensión Nominal: 100 Vac, 150 Vdc, MPN: 813-S1-024-10-016101
    • TE Connectivity Contacto de crimpado hembra serie Dynamic 2000, de Aleación de Cobre, sección máx. 18AWG, 0.9mm²

    TE Connectivity Contacto de crimpado hembra serie Dynamic 2000, de Aleación de Cobre, sección máx. 18AWG, 0.9mm²

    18AWG, 0.9mm², Para Uso Con: Carcasa de conector Dynamic 2000, Tamaño de cable mínimo (mm2): 0.TE Connectivity Contacto de crimpado hembra serie Dynamic 2000, de Aleación de Cobre, sección máx.3mm², Revestimiento del Contacto: Oro, Tamaño de cable mínimo (AWG): 22AWG, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55°C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105°C, MPN: 1318105-1.

    • Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 98 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.7V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • TE Connectivity Contacto de crimpado hembra serie Dynamic 2000, de Aleación de Cobre, sección máx. 18AWG, 0.9mm²

    TE Connectivity Contacto de crimpado hembra serie Dynamic 2000, de Aleación de Cobre, sección máx. 18AWG, 0.9mm²

    TE Connectivity Contacto de crimpado hembra serie Dynamic 2000, de Aleación de Cobre, sección máx.3mm², Revestimiento del Contacto: Oro, Tamaño de cable mínimo (AWG): 22AWG, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55°C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105°C, MPN: 1318105-1. 18AWG, 0.

    • Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 98 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.7V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Infineon MOSFET IRF7314TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.