Infineon MOSFET IPP60R120C7XKSA1, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,12 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS
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Infineon MOSFET IPP60R120C7XKSA1, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220 De 3 Pines
Specifications of Infineon MOSFET IPP60R120C7XKSA1, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220 De 3 Pines | |
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