Vishay MOSFET SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.391 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2 → 4V
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Vishay MOSFET SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
Specifications of Vishay MOSFET SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines | |
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