onsemi MOSFET NTJD4158CG, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 270 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, -12 V, +12 V, +20 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTJD4158CT1G
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Onsemi MOSFET NTJD4158CG, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 MA, 880 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado
Specifications of Onsemi MOSFET NTJD4158CG, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 MA, 880 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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