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Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The 35V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1

Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 21,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Specifications of Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Samtec Conector de borde HSEC8-120-01-L-RA, paso 0.8mm, 40 contactos, 2 filas, Ángulo de 90°, SMT, Hembra, 2.6A, Tipo de Montaje: Montaje Superficial

Samtec Conector de borde HSEC8-120-01-L-RA, paso 0.8mm, 40 contactos, 2 filas, Ángulo de 90°, SMT, Hembra, 2.6A, Tipo de Montaje: Montaje Superficial

Samtec Conector de borde HSEC8-120-01-L-RA, paso 0.8mm, 40 contactos, 2 filas, Ángulo de 90°, SMT, Hembra, 2.6A.

    • Murata Inductores de modo común, 3.6Ω, 3.2 x 1.6 x 1.15mm, 550 Ω, 100 mA Montaje en Superficie, -40°C → +85°C., Serie: DLP31S, Frecuencia de test: 100 MHz, Estilo de Terminación: Almohadilla de Soldadura, Encapsulado: 1206 (3216M), Profundidad: 1.6mm, Longitud: 3.2mm, MPN: DLP31SN551ML2L
    • Portwest Pantalones de alta visibilidad Unisex, de color Azul marino, resistentes a la abrasión, Longitud de la pierna: 43plg, Material: Poliéster, Serie: S481, MPN: S481/L
    • EAO Interruptor de llave, IP65, 2NC+2NO, 5 A, 2 vías, Funcionamiento del Interruptor: Enclavamiento, MPN: 51-372.F22D
    • Dormer Broca helicoidal Carburo Sólido, diámetro 9.9mm x 89 mm, Serie: R458, Ángulo en la Punta: 140°, MPN: R4589.9
    • TE Connectivity Resistencia SMD, 6.8Ω, ±5%, 5W, Bobinado, 5329 (13573M) 500V, Serie SM, Coeficiente de Temperatura: ±200ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, MPN: SMW56R8JT
    • Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.35V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • KOA Resistencia SMD, 3.01kΩ, ±0.1%, 0.1W, Película de Metal, 0603 (1608M), Coeficiente de Temperatura: 25ppm/°C, MPN: RN73R1JTTD3011B25
    • Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    35V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.Infineon MOSFET IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • KOA Resistencia SMD, 3.01kΩ, ±0.1%, 0.1W, Película de Metal, 0603 (1608M), Coeficiente de Temperatura: 25ppm/°C, MPN: RN73R1JTTD3011B25