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Nexperia MOSFET BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 MA, TO-236 De 3 Pines,, Config. Simple

About The 6V, Disipación de Potencia Máxima: 1,45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 10 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1

Nexperia MOSFET BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 mA, TO-236 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 1,45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 10 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

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Nexperia MOSFET BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 MA, TO-236 De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Nexperia MOSFET BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 MA, TO-236 De 3 Pines,, Config. Simple

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