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JST Conector De Automoción CPT Hembra De 20 Vías En 2 Filas, 3A, Terminación: Crimpado

About The JST Conector de automoción CPT Hembra de 20 vías en 2 filas, 3A, terminación: Crimpado, Tipo: Conector CPT, Tipo de Montaje: Montaje Superficial, Color: Negro, Altura: 9.1mm, Anchura: 22mm, Profundidad: 13

JST Conector de automoción CPT Hembra de 20 vías en 2 filas, 3A, terminación: Crimpado, Tipo: Conector CPT, Tipo de Montaje: Montaje Superficial, Color: Negro, Altura: 9.1mm, Anchura: 22mm, Profundidad: 13.5mm, Material de la Carcasa: PBT reforzado con fibra de vidrio, Material del Contacto: Latón, Revestimiento del Contacto: Oro sobre Níquel, MPN: 20CPT-B-2A

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Specifications of JST Conector De Automoción CPT Hembra De 20 Vías En 2 Filas, 3A, Terminación: Crimpado

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JST Conector De Automoción CPT Hembra De 20 Vías En 2 Filas, 3A, Terminación: Crimpado
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Infineon MOSFET IPN70R1K2P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 9,4 A, SOT-223 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.2 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS
    • Wurth Elektronik Borne de conexión de 6 vías, para cable de 26 → 14, 16A, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: 691101810006
    • OPTIBELT Correa síncrona de Poliuretano, 186 dientes con paso de 10mm, dim: 1860mm x 50mm, MPN: 50 AT10 / 1860

    OPTIBELT Correa síncrona de Poliuretano, 186 dientes con paso de 10mm, dim: 1860mm x 50mm, MPN: 50 AT10 / 1860

    OPTIBELT Correa síncrona de Poliuretano, 186 dientes con paso de 10mm, dim: 1860mm x 50mm.

    • Vishay MOSFET SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 125 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.

    • Vishay MOSFET SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 125 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.Vishay MOSFET SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.