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Onsemi Transistor, MMBT3906WG, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple

About The onsemi Transistor, MMBT3906WG, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT3906WT1G

onsemi Transistor, MMBT3906WG, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT3906WT1G

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Onsemi Transistor, MMBT3906WG, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple

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Specifications of Onsemi Transistor, MMBT3906WG, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple

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    • onsemi Transistor, MMBT6429LG, NPN 200 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 500, Tensión Base Máxima del Colector: 55 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT6429LT1G
    • Facom Puntas de alicates para arandelas, Tipo: Puntas de repuesto, Tipo de Punta: Curva, recto, MPN: 470.E8
    • Schneider Electric Toma eléctrica, 32A, Tipo de Montaje: Montaje en pared, MPN: EVP1BSE43
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    • onsemi Módulo IGBT, 75 A, 1.200 V, Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4, MPN: NXH80T120L3Q0S3G

    onsemi Módulo IGBT, 75 A, 1.200 V, Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4, MPN: NXH80T120L3Q0S3G

    onsemi Módulo IGBT, NXH80T120L3Q0S3G, 75 A, 1.200 V, Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4.

    • onsemi Transistor, MMBT3906WG, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT3906WT1G
    • onsemi Módulo IGBT, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, MPN: NXH350N100H4Q2F2P1G
    • onsemi Transistor, MMBT3906WG, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT3906WT1G
    • onsemi Módulo IGBT, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, MPN: NXH350N100H4Q2F2P1G