Vishay Diodo, S1PJ-M3/84A, 1A, 600V Conexión De Silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V

Name: Vishay? Vishay Diodo, 1A, 600V Conexión De Silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Configuración De Diodo: Simple, Tipo De Rectificador: Uso General, Tiempo De Recuperación Inverso De Pico: 1.8µs, Transitorios De Corriente Directa No Repetitiva De Pico: 30A, MPN: S1PJ-M3/84A
Brand: Vishay
SKU: ABDW-6084
Price: 196.02 EUR
Availability: InStock

About The 8μs, SMP, 2-Pines 1.1V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Tiempo de Recuperación Inverso de Pico: 1

Vishay Diodo, 1A, 600V Conexión de silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Tiempo de Recuperación Inverso de Pico: 1.8µs, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 30A, MPN: S1PJ-M3/84A

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Vishay Resistencia, de 22kΩ ±5%, 11W, Serie RWM 8x45, Tecnología: Bobinado, Encapsulado: 0845, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, Coeficiente de Temperatura: +75ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: RWM08452202JB25E1

Vishay Diodo, Rectificador Schottky, 1A, 60V Barrera Schottky, SMP, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 50A, MPN: SS1P6L-M3/84A

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Specifications of Vishay Diodo, S1PJ-M3/84A, 1A, 600V Conexión De Silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V
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Last Updated December 31st, 2024 11:32 pm

Vishay Diodo, S1PJ-M3/84A, 1A, 600V Conexión De Silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V

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TE Connectivity AEC-Q200 Resistencia SMD, 10.5kΩ, ±0.1%, 0.4W, Película Fina, 1206 (3216M) 200V, Serie RQ73, Coeficiente de Temperatura: ±10ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: 7-2176390-9

TE Connectivity AEC-Q200 Resistencia SMD, 10.5kΩ, ±0.4W, Película Fina, 1206 (3216M) 200V, Serie RQ73.1%, 0.

Infineon MOSFET IRF3708PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Infineon MOSFET IRF3708PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config.6V, Disipación de Potencia Máxima: 87 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.

ROHM Driver de puerta MOSFET BM60212FV-CE2, 5 A Carrete 20 pines, Tensión de Alimentación: 10V, Tiempo de Bajada: 50ns

ROHM Driver de puerta MOSFET BM60212FV-CE2, 5 A Carrete 20 pines.

Vishay Potenciómetro para PCB serie T7, 2.2kΩ máximo, ±10%, ±100ppm/°C, 0.5W, Montaje en orificio pasante, Orientación: Ajuste superior, Estilo de Terminación: Pin, Diámetro del Eje: 4 mm, Diámetro: 7mm, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, MPN: VBUS05M2-HT5HG3-08

Vishay Potenciómetro para PCB serie T7, 2.5W, Montaje en orificio pasante.2kΩ máximo, ±10%, ±100ppm/°C, 0.

Vishay Potenciómetro para PCB serie T7, 1MΩ máximo, ±10%, ±100ppm/°C, 0.06W, Montaje en orificio pasante, Orientación: Ajuste superior, Estilo de Terminación: Pin, Diámetro del Eje: 4 mm, Diámetro: 7mm, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, MPN: VCAN24A2-HT5HG3-08

06W, Montaje en orificio pasante.Vishay Potenciómetro para PCB serie T7, 1MΩ máximo, ±10%, ±100ppm/°C, 0.

Vishay Diodo, Rectificador Schottky, 1A, 60V Barrera Schottky, SMP, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 50A, MPN: SS1P6L-M3/84A

Vishay Diodo, SS1P6L-M3/84A, Rectificador Schottky, 1A, 60V Barrera Schottky, SMP, 2-Pines.

Vishay Diodo, 1A, 600V Conexión de silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Tiempo de Recuperación Inverso de Pico: 1.8µs, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 30A, MPN: S1PJ-M3/84A

Vishay Diodo, S1PJ-M3/84A, 1A, 600V Conexión de silicio, 1.

Vishay Resistencia, de 22kΩ ±5%, 11W, Serie RWM 8x45, Tecnología: Bobinado, Encapsulado: 0845, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, Coeficiente de Temperatura: +75ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: RWM08452202JB25E1

Vishay Resistencia, de 22kΩ ±5%, 11W, Serie RWM 8x45.

Vishay Diodo, 1A, 600V Conexión de silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Tiempo de Recuperación Inverso de Pico: 1.8µs, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 30A, MPN: S1PJ-M3/84A

Vishay Diodo, S1PJ-M3/84A, 1A, 600V Conexión de silicio, 1.1V.8μs, SMP, 2-Pines 1.

Vishay Resistencia, de 22kΩ ±5%, 11W, Serie RWM 8x45, Tecnología: Bobinado, Encapsulado: 0845, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, Coeficiente de Temperatura: +75ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: RWM08452202JB25E1

Vishay Resistencia, de 22kΩ ±5%, 11W, Serie RWM 8x45.

Vishay Diodo, S1PJ-M3/84A, 1A, 600V Conexión De Silicio, 1.8μs, SMP, 2-Pines 1.1V

About The 8μs, SMP, 2-Pines 1.1V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Tiempo de Recuperación Inverso de Pico: 1

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TE Connectivity AEC-Q200 Resistencia SMD, 10.5kΩ, ±0.1%, 0.4W, Película Fina, 1206 (3216M) 200V, Serie RQ73, Coeficiente de Temperatura: ±10ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: 7-2176390-9

Infineon MOSFET IRF3708PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

ROHM Driver de puerta MOSFET BM60212FV-CE2, 5 A Carrete 20 pines, Tensión de Alimentación: 10V, Tiempo de Bajada: 50ns

Vishay Diodo, Rectificador Schottky, 1A, 60V Barrera Schottky, SMP, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 50A, MPN: SS1P6L-M3/84A

Vishay Resistencia, de 22kΩ ±5%, 11W, Serie RWM 8x45, Tecnología: Bobinado, Encapsulado: 0845, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, Coeficiente de Temperatura: +75ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: RWM08452202JB25E1

Vishay Resistencia, de 22kΩ ±5%, 11W, Serie RWM 8x45, Tecnología: Bobinado, Encapsulado: 0845, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, Coeficiente de Temperatura: +75ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: RWM08452202JB25E1