Infineon MOSFET BSC080N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Infineon MOSFET BSC080N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON De 8 Pines, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSC080N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON De 8 Pines, Config. Simple | |
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