IXYS MOSFET IXFH26N60P, VDSS 600 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 270 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 460000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 21.46mm, Longitud: 16.26mm
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IXYS MOSFET IXFH26N60P, VDSS 600 V, ID 26 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of IXYS MOSFET IXFH26N60P, VDSS 600 V, ID 26 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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