Vishay MOSFET SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 240 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.68mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Vishay MOSFET SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 MA, SC-75 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 MA, SC-75 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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