Vishay MOSFET SI1026X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-523 (SC-89) de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.6mm, Longitud: 1.7mm
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Vishay MOSFET SI1026X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 MA, SOT-523 (SC-89) De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado
Specifications of Vishay MOSFET SI1026X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 MA, SOT-523 (SC-89) De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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