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Infineon Memoria Flash, Quad-SPI S25FL128LAGMFI010 128Mbit, 16M X 8 Bit, SOIC, 8 Pines

About The 7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Número de Bits de Palabra: 8bit

Infineon Memoria flash, Quad-SPI S25FL128LAGMFI010 128Mbit, 16M x 8 bit, SOIC, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Célula: NI, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2.7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3.6 V, Dimensiones: 5.28 x 5.28 x 1.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Número de Bits de Palabra: 8bit

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Chips de Memoria > Memorias Flash

Infineon Memoria Flash, Quad-SPI S25FL128LAGMFI010 128Mbit, 16M X 8 Bit, SOIC, 8 Pines

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Specifications of Infineon Memoria Flash, Quad-SPI S25FL128LAGMFI010 128Mbit, 16M X 8 Bit, SOIC, 8 Pines

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Infineon Memoria Flash, Quad-SPI S25FL128LAGMFI010 128Mbit, 16M X 8 Bit, SOIC, 8 Pines
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Rating :- 9.63 /10
Votes :- 40
RS PRO Adaptador AC/DC 100V ac, 15V dc, 1 salida, Adaptador ac/dc, 4A, 60W, Tipo C Regulable, Tipo de adaptador: Adaptador enchufable, Tensión de entrada: 100 V ac, 110 V ac, 115 V ac, 120 V ac, 127 V ac, 220 V ac, 230 V ac, 240V ac, Temperatura máxima: +40°C, Conector de salida: Centro positivo, 2,1 x 5,5 x 12 mm, Conector de entrada: Conector macho europeo, Efficiency: (Minimum) 88%, Cumplimiento normativo: CE Certified, CE-EN 60950-1, EN 55032 EN 61000-3-2, Profundidad: 33.5mm, Nivel de eficiencia energética: VI
    • Vishay Diodo, 10A, 650V Schottky SiC, 2L A 220AC, 3-Pines, Schottky SiC, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: VS-C10ET07T-M3
    • onsemi MOSFET FDPF2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220F de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDPF2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220F de 3 pines,, config. Simple

    36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.onsemi MOSFET FDPF2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220F de 3 pines,, config.

    • TE Connectivity Conector circular serie DBAS 9 de 128 vías, Montaje en Panel, Método de Terminación: Crimpado, Tamaño del Conector: Estándar, MPN: DBAS 976-25-35 PN
    • TE Connectivity Conector circular serie DBAS 9 de 128 vías, Montaje en Panel, Método de Terminación: Crimpado, Tamaño del Conector: Estándar, MPN: DBAS 976-25-35 PN