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STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple

About The 4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10

STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple

Texas Instruments Inversor, Hex canales SOIC 14 pines HC No, Número de Elementos por Chip: 6, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 16 ns @ 6 V, 19 ns @ 4.5 V, 95 ns @ 2 V, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -5.2mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 8.65 x 3.91 x 1.58mm, Longitud: 8.65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, MPN: SN74HC04D
Wurth Elektronik Inductor de montaje en superficie bobinado Wurth, 27 μH, ±30%, núcleo de Ferrita, apantallado 5828, SRF:15MHZ, 1.05A, Longitud: 5.8mm, Profundidad: 2.8mm, Dimensiones: 5.8 x 5.8 x 2.8mm, Apantallado: Sí, Máxima Resistencia DC: 160mΩ, Serie: WE-TPC, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, MPN: 744053270
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple

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Huco Elastómero de bucle doble, Ø de calibre 6mm, long. 56mm, par 10Nm

Huco Elastómero de bucle doble, Ø de calibre 6mm, long. 56mm, par 10Nm

56mm, par 10Nm, MPN: 047.Huco Elastómero de bucle doble, Ø de calibre 6mm, long.RS.2222.

    • Comark Termómetro digital KM20, calibrado RS, con 1 canal para sondas tipo PT100, Medición de Temperatura Máxima Absoluta: +199.9°C, Calibrado: RSCAL, Tipo de Termómetro: Cableado, Máxima Precisión: ±0,2 °C, Resolución: 0,1 °C, Escala de Temperatura: Centígrado, Tipo de Batería: 9 V, Peso: 180g, MPN: KM20REF
    • MikroElektronika Placa de desarrollo RFID NFC MIKROE-4425, frecuencia 859 → 930MHZ, Clasificación: Placa complementaria, Para Usar Con: MCU, Dispositivo mostrado: M6E-NANO, Nombre del kit: Magic RFID Click
    • MikroElektronika Kit de desarrollo Sensor de efecto Hall Hall Current 7 Click - MIKROE-4420, para usar con ACS770

    MikroElektronika Kit de desarrollo Sensor de efecto Hall Hall Current 7 Click - MIKROE-4420, para usar con ACS770

    MikroElektronika Kit de desarrollo Sensor de efecto Hall Hall Current 7 Click - MIKROE-4420, para usar con ACS770.

    • BACO Bloque de contactos 33E10, 1 NA, 600V, terminal Roscado, Incluye cuerpo / anillo de fijación: No, Corriente Nominal: 10A
    • Wurth Elektronik Inductor de montaje en superficie bobinado Wurth, 27 μH, ±30%, núcleo de Ferrita, apantallado 5828, SRF:15MHZ, 1.05A, Longitud: 5.8mm, Profundidad: 2.8mm, Dimensiones: 5.8 x 5.8 x 2.8mm, Apantallado: Sí, Máxima Resistencia DC: 160mΩ, Serie: WE-TPC, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, MPN: 744053270
    • STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines,, config.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • Texas Instruments Inversor, Hex canales SOIC 14 pines HC No, Número de Elementos por Chip: 6, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 16 ns @ 6 V, 19 ns @ 4.5 V, 95 ns @ 2 V, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -5.2mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 8.65 x 3.91 x 1.58mm, Longitud: 8.65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, MPN: SN74HC04D
    • STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines,, config.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.

    • Texas Instruments Inversor, Hex canales SOIC 14 pines HC No, Número de Elementos por Chip: 6, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 16 ns @ 6 V, 19 ns @ 4.5 V, 95 ns @ 2 V, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -5.2mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 8.65 x 3.91 x 1.58mm, Longitud: 8.65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, MPN: SN74HC04D