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Onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple

About The 9mm, Longitud: 15. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 375000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 18

onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 375000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 18.9mm, Longitud: 15.8mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple

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Onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple
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Rating :- 9.74 /10
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Crucial Memoria RAM 16 GB Sobremesa, 2400MHZ, Clase de memoria: DDR4, Ranura de memoria: UDIMM, Tipo de Módulo: PC4-19200, Pasadores: 288, Tensión: 1.2V, Latencia CAS: 17, MPN: CT16G4DFD824A
    • STEERMAN Base rodante, Acero, carga 10t, plataforma de 102mm, x 1200mm, altura 102mm, Diámetro de la Rueda: 82mm, MPN: N13600977

    STEERMAN Base rodante, Acero, carga 10t, plataforma de 102mm, x 1200mm, altura 102mm, Diámetro de la Rueda: 82mm, MPN: N13600977

    STEERMAN Base rodante, Acero, carga 10t, plataforma de 102mm, x 1200mm, altura 102mm.

    • Wurth Elektronik Condensador electrolítico serie WCAP-ATUL, 1000μF, ±20%, 10V dc, Radial, Orificio pasante, 10 (Dia.) x, Capacitancia: 1000µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Dimensiones: 10 (Dia.) x 16mm, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 10mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Paso del Pin: 5mm, Vida Útil: 6000h, Corriente de Pérdida: 100 μA, Corriente de Rizado: 1.11A, MPN: 860040275009
    • Yageo, 1.5kΩ, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805JR-071K5L

    Yageo, 1.5kΩ, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805JR-071K5L

    Yageo, 1.5kΩ, ±5%, 125mW, Película Gruesa, 0805 (2012M).

    • Veracity Transceptor CCTV VLS-1P-C, Tensión de alimentación: 20 → 28 V, 8 → 57V, Profundidad: 23 mm, Altura: 120,0 mm, Ancho: 36.0mm, Tipo de accesorio: Extensor de rango de red
    • Wurth Elektronik Conector macho para PCB Ángulo de 90° serie WR-WTB de 16 vías, 2 filas, paso 2.0mm, MPN: 62401621722

    Wurth Elektronik Conector macho para PCB Ángulo de 90° serie WR-WTB de 16 vías, 2 filas, paso 2.0mm, MPN: 62401621722

    0mm.Wurth Elektronik Conector macho para PCB Ángulo de 90° serie WR-WTB de 16 vías, 2 filas, paso 2.

    • Wurth Elektronik Condensador de polímero de aluminio, 100μF, 50V dc, Montaje en Superficie, encapsulado Can, Tecnología: Polímero, Híbrido, Capacitancia: 100µF, Gama de material dieléctrico: Polymer Aluminium, MPN: 875585757007
    • onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 375000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 18.

    • Wurth Elektronik Condensador de polímero de aluminio, 100μF, 50V dc, Montaje en Superficie, encapsulado Can, Tecnología: Polímero, Híbrido, Capacitancia: 100µF, Gama de material dieléctrico: Polymer Aluminium, MPN: 875585757007
    • onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple

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    onsemi MOSFET FQA140N10, VDSS 100 V, ID 140 A, TO-3PN de 3 pines,, config.9mm, Longitud: 15. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 375000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 18.