Taiwan Semiconductor MOSFET TSM280NB06LCR, VDSS 60 V, ID 28 A, PDFN56 de 8 pines, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: TSM025
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Taiwan Semiconductor MOSFET TSM280NB06LCR, VDSS 60 V, ID 28 A, PDFN56 De 8 Pines
Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET TSM280NB06LCR, VDSS 60 V, ID 28 A, PDFN56 De 8 Pines | |
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