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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 25 A 250 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 25 A 250 V, 3 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 6.73mm, MPN: IPD600N25N3GATMA1

Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 25 A 250 V, 3 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 6.73mm, MPN: IPD600N25N3GATMA1

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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 25 A 250 V, 3 Broches

Infineon MOSFET canal N, TO 263 176 A 100 V, 3 broches, Série: OptiMOS™ 5, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10.31mm, MPN: IPB020N10N5ATMA1
TRACOPOWER Convertisseur DC-DC, TDR 3SM, Montage en surface, 3W, 1 sortie, 5V c.c., 600mA, Plage de tensions d'entrée: 4,5 → 9 V c.c., Tension d'entrée nominale: 5 V c.c., Isolé: Oui, Boîtier: SOIC 14, Tension d'isolement: 1.5kV c.c., Profondeur: 8.45mm, Longueur: 18.9mm, Régulation de charge: ±1%, Rendement: 80%, MPN: TDR 3-0511SM
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Panasonic Résistance CMS série ERJ 88.7kΩ, boitier 0603 (1608M) ±1% 0.1W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERJ3EKF8872V
    • Panasonic Résistance CMS série ERJ 2.2MΩ, boitier 0805 (2012M) ±1% 0.12W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERJ6ENF2204V
    • Panasonic Résistance CMS série ERJ 4.99kΩ, boitier 0805 (2012M) ±1% 0.12W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERJ6ENF4991V
    • WAGO Bornier pour CI 24 contacts 2 rangée(s) pas de 10.16mm série 736, Type de montage: Traversant, Genre: Mâle, Type de raccordement: Cage à ressort, MPN: 736-862
    • Acim Jouanin Résistance formable à froid, 1.65m, 1 kW, 230 V c.a., Largeur: 3.7mm, Forme de l'élément chauffant: Bande isolée, MPN: RCF/TC1000
    • TRACOPOWER Convertisseur DC-DC, TDR 3SM, Montage en surface, 3W, 1 sortie, 5V c.c., 600mA, Plage de tensions d'entrée: 4,5 → 9 V c.c., Tension d'entrée nominale: 5 V c.c., Isolé: Oui, Boîtier: SOIC 14, Tension d'isolement: 1.5kV c.c., Profondeur: 8.45mm, Longueur: 18.9mm, Régulation de charge: ±1%, Rendement: 80%, MPN: TDR 3-0511SM
    • Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 25 A 250 V, 3 broches, Série: OptiMOSâ„¢ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 6.73mm, MPN: IPD600N25N3GATMA1
    • Infineon MOSFET canal N, TO 263 176 A 100 V, 3 broches, Série: OptiMOSâ„¢ 5, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10.31mm, MPN: IPB020N10N5ATMA1
    • Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 25 A 250 V, 3 broches, Série: OptiMOSâ„¢ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 6.73mm, MPN: IPD600N25N3GATMA1
    • Infineon MOSFET canal N, TO 263 176 A 100 V, 3 broches, Série: OptiMOSâ„¢ 5, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10.31mm, MPN: IPB020N10N5ATMA1