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JST Embase Pour CI, SUR, 2 Pôles, 0.8mm 1 Rangée, 200.0mA, Angle Droit

About The JST Embase pour CI, SUR, 2 pôles, 0.0mA, Angle droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Système de connecteurs: Fil à carte, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Alliage de cuivre, Courant: 200mA, MPN: SM02B-SURS-TF (LF)(SN)

JST Embase pour CI, SUR, 2 pôles, 0.8mm 1 rangée, 200.0mA, Angle droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Système de connecteurs: Fil à carte, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Alliage de cuivre, Courant: 200mA, MPN: SM02B-SURS-TF (LF)(SN)

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Connecteurs > Boîtiers et connecteurs pour circuits imprimés > Embases circuits imprimés

JST Embase Pour CI, SUR, 2 Pôles, 0.8mm 1 Rangée, 200.0mA, Angle Droit

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Specifications of JST Embase Pour CI, SUR, 2 Pôles, 0.8mm 1 Rangée, 200.0mA, Angle Droit

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JST Embase Pour CI, SUR, 2 Pôles, 0.8mm 1 Rangée, 200.0mA, Angle Droit
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onsemi Transistor, PNP Isolé, -600 mA, -150 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: -160 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 3 x 1.68 x 1.12mm, MPN: FMBM5401
    • Infineon MOSFET, PG-TDSON 20 A 60 V, Type de montage: CMS, MPN: IPG20N06S4L11ATMA2
    • Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON-8-10 20 A 100 V, MPN: IPG20N10S4L22AATMA1

    Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON-8-10 20 A 100 V, MPN: IPG20N10S4L22AATMA1

    Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON-8-10 20 A 100 V.

    • Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 136 A 60 V, Type de montage: CMS, MPN: IPI029N06NAKSA1
    • Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 136 A 60 V, Type de montage: CMS, MPN: IPI029N06NAKSA1