reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Wurth Elektronik Inductance CMS Multicouche 4,7 NH, 300mA Max, 0402 (1005M), Dimensions 1 X 0.5 X 0.5mm, Série WE-MK

About The 5 x 0.5mm, série WE-MK, Fréquence d'auto-résonance maximale: 6GHz, facteur de qualité minimal: 8, Résistance DC maximale: 240mΩ, Matériau du corps: Céramique, Longueur: 1mm, Température d'utilisation maximum: +120°C, Structure d'inductance: Multicouches, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: 744784047

Wurth Elektronik Inductance CMS multicouche 4,7 nH, 300mA max, 0402 (1005M), dimensions 1 x 0.5 x 0.5mm, série WE-MK, Fréquence d'auto-résonance maximale: 6GHz, facteur de qualité minimal: 8, Résistance DC maximale: 240mΩ, Matériau du corps: Céramique, Longueur: 1mm, Température d'utilisation maximum: +120°C, Structure d'inductance: Multicouches, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: 744784047

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Passifs > Inductances > Inductances à montage en surface

Wurth Elektronik Inductance CMS Multicouche 4,7 NH, 300mA Max, 0402 (1005M), Dimensions 1 X 0.5 X 0.5mm, Série WE-MK

More from Wurth Elektronik Inductance CMS Multicouche 4,7 NH, 300mA Max, 0402 (1005M), Dimensions 1 X 0.5 X 0.5mm, Série WE-MK? Wurth Elektronik
Search

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Passifs > Inductances > Inductances à montage en surface

Specifications of Wurth Elektronik Inductance CMS Multicouche 4,7 NH, 300mA Max, 0402 (1005M), Dimensions 1 X 0.5 X 0.5mm, Série WE-MK

Category
Instockinstock

Last Updated

Wurth Elektronik Inductance CMS Multicouche 4,7 NH, 300mA Max, 0402 (1005M), Dimensions 1 X 0.5 X 0.5mm, Série WE-MK
More Varieties

Rating :- 9.13 /10
Votes :- 41
Infineon MOSFET canal N, TO247-4 26 A 650 V, 4 broches, Série: CoolSiC, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IMZA65R083M1HXKSA1
    • STMicroelectronics Kit de développement Hardware Security Module, Cœur du circuit: STM32, Nom de série du processeur: ARM Cortex, MPN: STM32HSM-V2BE
    • SICK Capteur de proximité,, M12, Détection 8 mm, PNP/NPN NO/NC, 10 → 30 V c.c.

    SICK Capteur de proximité,, M12, Détection 8 mm, PNP/NPN NO/NC, 10 → 30 V c.c.

    c. maximum: 30V, Température minimum de fonctionnement: -30°C, Température d'utilisation maximum: +85°C, MPN: 6051030.7mm, Type de montage: Non noyable, Matériau du boîtier: Plastique, Tension V c., Technologie de détection: Capacitif, Type de corps: Baril fileté, Indice IP: IP68, Longueur: 84.

    • Infineon MOSFET canal N, TO247-4 20 A 650 V, 4 broches, Série: CoolSiC, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,142 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IMZA65R107M1HXKSA1
    • Infineon Régulateur de tension, Régulateur abaisseur de tension, 30A, QFN 29 broches., MPN: IR3887MTRPBFAUMA1

    Infineon Régulateur de tension, Régulateur abaisseur de tension, 30A, QFN 29 broches., MPN: IR3887MTRPBFAUMA1

    Infineon Régulateur de tension, IR3887MTRPBFAUMA1, Régulateur abaisseur de tension, 30A, QFN 29 broches..

    • Infineon MOSFET canal N, SOT-223 2.9 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 120 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.1V, Dissipation de puissance maximum: 1.8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.6mm, MPN: BSP320S
    • Infineon MOSFET canal N, SOT-223 2.6 A 60 V, 3 broches, Série: SIPMOS®, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 1.8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.5mm, MPN: BSP318S
    • Wurth Elektronik Inductance CMS multicouche 4,7 nH, 300mA max, 0402 (1005M), dimensions 1 x 0.5 x 0.5mm, série WE-MK, Fréquence d'auto-résonance maximale: 6GHz, facteur de qualité minimal: 8, Résistance DC maximale: 240mΩ, Matériau du corps: Céramique, Longueur: 1mm, Température d'utilisation maximum: +120°C, Structure d'inductance: Multicouches, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: 744784047
    • Infineon MOSFET canal N, SOT-223 2.6 A 60 V, 3 broches, Série: SIPMOS®, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 1.8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.5mm, MPN: BSP318S
    • Wurth Elektronik Inductance CMS multicouche 4,7 nH, 300mA max, 0402 (1005M), dimensions 1 x 0.5 x 0.5mm, série WE-MK, Fréquence d'auto-résonance maximale: 6GHz, facteur de qualité minimal: 8, Résistance DC maximale: 240mΩ, Matériau du corps: Céramique, Longueur: 1mm, Température d'utilisation maximum: +120°C, Structure d'inductance: Multicouches, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: 744784047