reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

TE Connectivity Relais De Puissance MSR, 1 NO, Bobine 9V C.c. Montage Sur CI 220mW

About The a., Longueur: 28

Montage sur CI 220mW, Courant de commutation: 8A, Accrochage: Non, Type de raccordement: Traversant, Tension de commutation maximale (c.a.): 400V c.a., Longueur: 28.6mm, Résistance de bobine: 364Ω, Matériau de contact: Alliage d'argent, Profondeur: 10mm, Hauteur: 15mm, Isolation bobine/contact: 4kVrms, MPN: 1-1393222-5 TE Connectivity Relais de puissance MSR, 1 NO, bobine 9V c.c.

Automatisme Industriel & Contrôle de process & Électrique et Câbles > Relais et convertisseurs de signaux > Relais > Relais de puissance

TE Connectivity Relais De Puissance MSR, 1 NO, Bobine 9V C.c. Montage Sur CI 220mW

More from Montage Sur CI 220mW, Courant De Commutation: 8A, Accrochage: Non, Type De Raccordement: Traversant, Tension De Commutation Maximale (c.a.): 400V C.a., Longueur: 28.6mm, Résistance De Bobine: 364Ω, Matériau De Contact: Alliage D'argent, Profondeur: 10mm, Hauteur: 15mm, Isolation Bobine/contact: 4kVrms, MPN: 1-1393222-5, TE Connectivity
Search

Automatisme Industriel & Contrôle de process & Électrique et Câbles > Relais et convertisseurs de signaux > Relais > Relais de puissance

Specifications of TE Connectivity Relais De Puissance MSR, 1 NO, Bobine 9V C.c. Montage Sur CI 220mW

Category
Instockinstock

Last Updated

TE Connectivity Relais De Puissance MSR, 1 NO, Bobine 9V C.c. Montage Sur CI 220mW
More Varieties

Rating :- 9.49 /10
Votes :- 42
Renesas Electronics Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim. Numérique, QFN 72 Ld 4 72 broches

Renesas Electronics Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim. Numérique, QFN 72 Ld 4 72 broches

Numérique, QFN 72 Ld 4 72 broches, Tension d'alimentation asymétrique typique: 18 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 65 MHz, MPN: ISL55100BIRZ.Renesas Electronics Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim.

    • Infineon MOSFET canal N, TO-247 24 A 650 V, 3 broches, Série: CoolSiC, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IMW65R083M1HXKSA1
    • STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    • Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches, MPN: IMW65R107M1HXKSA1

    Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches, MPN: IMW65R107M1HXKSA1

    Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches.

    • Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches, MPN: IMW65R107M1HXKSA1

    Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches, MPN: IMW65R107M1HXKSA1

    Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches.