Infineon MOSFET Canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 Broches

Name: Infineon - Infineon MOSFET Canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 Broches, MPN: IMW65R107M1HXKSA1
Brand: Infineon
SKU: ABDX-127746
Price: 83.64 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches, MPN: IMW65R107M1HXKSA1

Infineon MOSFET canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 broches, MPN: IMW65R107M1HXKSA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET canal N, TO247-4 50 A 650 V, 4 broches, Série: CoolSiC, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,05 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IMZA65R039M1HXKSA1

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 Broches
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Last Updated December 27th, 2024 08:00 pm

Infineon MOSFET Canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 Broches

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Infineon MOSFET canal N, TO-247 24 A 650 V, 3 broches.

Infineon MOSFET canal N, TO-247 24 A 650 V, 3 broches, Série: CoolSiC, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IMW65R083M1HXKSA1

Infineon MOSFET canal N, TO-247 24 A 650 V, 3 broches.

Infineon MOSFET Canal N, TO-247 20 A 650 V, 3 Broches

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Infineon MOSFET canal N, TO-247 24 A 650 V, 3 broches, Série: CoolSiC, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IMW65R083M1HXKSA1

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