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Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 33,6 A. 100 V, 4 Broches

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Vishay MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 33,6 A. 100 V, 4 broches, Série: TrenchFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,03 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 33,6 A. 100 V, 4 Broches

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Specifications of Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 33,6 A. 100 V, 4 Broches

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Contitech Courroie synchrone Caoutchouc, 1040mm x 50mm, 130 dents, Pas: 8mm, Vitesse maximum: 50m/s, Hauteur de dent: 3.4mm, Température de fonctionnement minimum: -20°C, Température de fonctionnement maximum: +100°C, MPN: 1040 8M 50
    • Hosiden Besson Accessoire pour téléphone Jaune, Type d'accessoire: Tonecaller, Unités par paquet: 1, MPN: 8470900
    • Vishay MOSFET canal P, D2PAK (TO-263) 11 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.41mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRF9640SPBF
    • STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    600W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 171V, Courant d'impulsion crête maximum: 11. 190V, 353V DO-214AA (SMB), 2 broches, dissip. 600W.

    • STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    6 x 3. 190V, 353V DO-214AA (SMB), 2 broches, dissip. STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.