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Fuji Electric Module IGBT, 7MBP75RA-120-55,, 75 A, 1200 V, P 610, 22 Broches, Triphasé

About The Fuji Electric Module IGBT,, 75 A, 1200 V, P 610, 22 broches, Triphasé, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 109 x 88 x 22mm, Température d'utilisation maximum: +100 °C, Température de fonctionnement minimum: -20 °C, Largeur: 88mm, MPN: 7MBP75RA-120-55

Fuji Electric Module IGBT,, 75 A, 1200 V, P 610, 22 broches, Triphasé, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 109 x 88 x 22mm, Température d'utilisation maximum: +100 °C, Température de fonctionnement minimum: -20 °C, Largeur: 88mm, MPN: 7MBP75RA-120-55

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Fuji Electric Module IGBT, 7MBP75RA-120-55,, 75 A, 1200 V, P 610, 22 Broches, Triphasé

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Specifications of Fuji Electric Module IGBT, 7MBP75RA-120-55,, 75 A, 1200 V, P 610, 22 Broches, Triphasé

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Fuji Electric Module IGBT, 7MBP75RA-120-55,, 75 A, 1200 V, P 610, 22 Broches, Triphasé
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Master Lock Coffre-fort type Accueil 7.5L, Profondeur 391 mm x Hauteur 168 mm x Largeur 363mm, Ignifuge: Oui, Type de verrou: Clé, Temps de protection au feu: 30min., Couleur: Noir, Gris, Poids: 9.3kg, MPN: LCHW20101
    • Phoenix Contact Couvercle transparent, série AP3 pour Blocs terminal à rail DIN, Distrelec Product Id: 30402055, MPN: 5022643
    • Master Lock Coffre-fort type Accueil 10.2L, Profondeur 419 mm x Hauteur 193 mm x Largeur 375mm, Ignifuge: Oui, Type de verrou: Clé, Temps de protection au feu: 60min., Couleur: Noir, Gris, Poids: 14.1kg, MPN: LCFW30100
    • IXYS Diode traversante, 8A, 600V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1.5V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 110A, MPN: DSEI8-06A
    • IXYS Diode traversante, 8A, 600V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1.5V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 110A, MPN: DSEI8-06A