IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 360 A 100 V, 4 Broches
About The 23mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFN360N10T.IXYS MOSFET canal N, SOT-227 360 A 100 V, 4 broches, Série: GigaMOS Trench HiperFET, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 2,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4
IXYS MOSFET canal N, SOT-227 360 A 100 V, 4 broches, Série: GigaMOS Trench HiperFET, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 2,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 830 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFN360N10T
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IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 360 A 100 V, 4 Broches
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Specifications of IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 360 A 100 V, 4 Broches | |
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