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Genteq Condensateur à Couche Mince GEM III 27L 10μF 660V C.a. ±6%

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Genteq Condensateur à couche mince GEM III 27L 10μF 660V c.a. ±6%, Capacité: 10µF, Pas entre broches: 20.57mm, Longueur: 68.33mm, Profondeur: 39.62mm, Résistance série équivalente: 40.4mΩ, Hauteur: 98.55mm, Dimensions: 2.69 x 1.56 x 3.88pouce, Diélectrique: Polypropylène métallisé, Type de terminaison: Connexion rapide, Facteur de dissipation: 0.1%, Température d'utilisation maximum: +70°C, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: 27L6017

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Passifs > Condensateurs > Condensateurs à film

Genteq Condensateur à Couche Mince GEM III 27L 10μF 660V C.a. ±6%

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Specifications of Genteq Condensateur à Couche Mince GEM III 27L 10μF 660V C.a. ±6%

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Genteq Condensateur à Couche Mince GEM III 27L 10μF 660V C.a. ±6%
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Infineon MOSFET canal N, TO-247AC 44 A 250 V, 3 broches, Série: HEXFET, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 46 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 310 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.9mm, MPN: IRFP4229PBF
    • Infineon MOSFET canal N, TO-247AC 57 A 250 V, 3 broches, Série: HEXFET, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.9mm, MPN: IRFP4332PBF
    • Genteq Condensateur à couche mince GEM III 27L 20μF 440V c.a. ±6%

    Genteq Condensateur à couche mince GEM III 27L 20μF 440V c.a. ±6%

    16mm, Dimensions: 1. ±6%, Capacité: 20µF, Hauteur: 73.75 (Dia.Genteq Condensateur à couche mince GEM III 27L 20μF 440V c.

    • Infineon MOSFET canal N, TO-247AC 290 A 100 V, 3 broches, Série: HEXFET, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 520 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.87mm, MPN: IRFP4468PBF
    • Infineon MOSFET canal N, TO-247AC 290 A 100 V, 3 broches, Série: HEXFET, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 520 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.87mm, MPN: IRFP4468PBF