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STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-220 6 A 800 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 6 A 800 V, 3 broches, Série: MDmesh K5, SuperMESH5, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, MPN: STP7N80K5

STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 6 A 800 V, 3 broches, Série: MDmesh K5, SuperMESH5, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, MPN: STP7N80K5

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STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-220 6 A 800 V, 3 Broches

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-220 6 A 800 V, 3 Broches

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STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-220 6 A 800 V, 3 Broches
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Rating :- 9.91 /10
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Interroll Rouleau d'entraînement Ø 50mm x 450mm en Acier inoxydable, Taille de l'axe: 10mm, Largeur intérieur du cadre: 460mm, Forme de l'axe: Rond, Type de fixation: A ressort, Vitesse maximale de convoyage: 2m/s, Catégorie de poids: Charge lourde, Longueur hors tout: 480mm, MPN: 17XQNAAKAC - 450
    • TE Connectivity Résistance CMS série 3502 24kΩ, boitier 2010 (5025M) ±1% 2W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: 2176398-7
    • DiodesZetex Pont redresseur Pont complet, 1000V, KPB, MPN: RKBP410

    DiodesZetex Pont redresseur Pont complet, 1000V, KPB, MPN: RKBP410

    DiodesZetex Pont redresseur Pont complet, 1000V, KPB.

    • DiodesZetex Pont redresseur Pont complet, 1000V, TTL, MPN: RTT410

    DiodesZetex Pont redresseur Pont complet, 1000V, TTL, MPN: RTT410

    DiodesZetex Pont redresseur Pont complet, 1000V, TTL.

    • Siemens Terminaux de connexion SENTRON, pour Barre omnibus en cuivre, MPN: 8US1941-2BB00

    Siemens Terminaux de connexion SENTRON, pour Barre omnibus en cuivre, MPN: 8US1941-2BB00

    Siemens Terminaux de connexion SENTRON, pour Barre omnibus en cuivre.

    • STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 90 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP140N8F7
    • Siemens Entretoise SENTRON, pour Système de barres omnibus, MPN: 8US1998-1BA10

    Siemens Entretoise SENTRON, pour Système de barres omnibus, MPN: 8US1998-1BA10

    Siemens Entretoise SENTRON, pour Système de barres omnibus.

    • STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 6 A 800 V, 3 broches, Série: MDmesh K5, SuperMESH5, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, MPN: STP7N80K5
    • Siemens Entretoise SENTRON, pour Système de barres omnibus, MPN: 8US1998-1BA10

    Siemens Entretoise SENTRON, pour Système de barres omnibus, MPN: 8US1998-1BA10

    Siemens Entretoise SENTRON, pour Système de barres omnibus.

    • STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 6 A 800 V, 3 broches, Série: MDmesh K5, SuperMESH5, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, MPN: STP7N80K5