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Taiwan Semiconductor Diode CMS, 200mA, 40V, SOT-23

About The Taiwan Semiconductor Diode CMS, 200mA, 40V, SOT-23, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Diode Schottky, Chute minimale de tension directe: 1V, Technologie de diode: Barrière Schottky, Temps de recouvrement inverse crête: 5ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: BAS40-05

Taiwan Semiconductor Diode CMS, 200mA, 40V, SOT-23, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Diode Schottky, Chute minimale de tension directe: 1V, Technologie de diode: Barrière Schottky, Temps de recouvrement inverse crête: 5ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: BAS40-05

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

Taiwan Semiconductor Diode CMS, 200mA, 40V, SOT-23

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Specifications of Taiwan Semiconductor Diode CMS, 200mA, 40V, SOT-23

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