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ROHM Diode PIN, RN731VTE-17, Pour Atténuateur, 50mA 50V UMD, 2 Broches

About The .4pF, Résistance de série maximum @ IF maximum: 7 Ω@ 10 mA, Dimensions: 1

ROHM Diode PIN, pour Atténuateur, 50mA 50V UMD, 2 broches, Configuration de diode: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe maximum: 1V, Type de montage: CMS, Capacitance de diode maximum: 0.4pF, Résistance de série maximum @ IF maximum: 7 Ω@ 10 mA, Dimensions: 1.7 x 1.25 x 0.7mm, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: RN731VTE-17

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes PIN

ROHM Diode PIN, RN731VTE-17, Pour Atténuateur, 50mA 50V UMD, 2 Broches

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Specifications of ROHM Diode PIN, RN731VTE-17, Pour Atténuateur, 50mA 50V UMD, 2 Broches

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ROHM Diode PIN, RN731VTE-17, Pour Atténuateur, 50mA 50V UMD, 2 Broches
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ROHM Régulateur de tension, 1A, TO-220FP 3 broches., Type de régulateur: Tension à faible chute|, Tension de sortie: 3 V, Régulation en ligne: 100 mV, Précision: ±1%, Régulation de charge: 150 mV, Type de montage: Traversant, Polarité: Positif, Type de sortie: Fixe, Dimensions: 10 x 4.5 x 17mm, Tension d'entrée maximale: 25 V, MPN: BA03CC0T
    • Bopla Boîtier pupitre Alu-Topline en ABS, Aluminium Noir, Anodisé naturel, 200 mm x 181,2 mm x 68,2 mm, Dimensions externes: 200 x 181.2 x 68.2mm, Poids: 715g, Avant incliné: Oui, MPN: 92865200.MT6 ATPH 1865-0200
    • METCASE Boîtier d'instrumentation Unicase en Aluminium Gris, dim.
    • onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 300mA, 100V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Petits signaux, Type diode: Redresseur, Nombre de broches: 2, Chute minimale de tension directe: 1V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.53mm, MPN: 1N914TR
    • onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 300mA, 100V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Petits signaux, Type diode: Redresseur, Nombre de broches: 2, Chute minimale de tension directe: 1V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.53mm, MPN: 1N914TR